2020年Q1的宽禁带项目盘点
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投产项目
1、中国电科（山西）碳化硅材料产业基地
2020年3月3日，中国电科(山西)碳化硅材料产业基地一期项目投产。
项目于2019年4月1日开工建设， 9月26日封顶。建筑面积 2.7 万平方米，能容纳 600 台碳化硅单晶生产炉和 18 万片 N 型晶片的加工检测能力，可形成 7.5 万片的碳化硅晶片产能。
自 2007 年，中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。目前全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。
2、积塔6 英寸碳化硅生产线
3月，积塔半导体的6 英寸碳化硅生产线正式测通线运行。
开工项目
1、天和通讯（徐州）第三代半导体产业基地项目
1月，总投资达到60亿元天和通讯（徐州）第三代半导体产业基地举行了开工仪式。
该项目主要从事第三代半导体硅基氮化镓高性能芯片和器件的全产业链生产。项目全面达产后，可年产33密耳、55密耳、70密耳芯片200亿颗及各类5G芯片共约10亿颗。
2、绿能芯创碳化硅芯片项目
2020年2月21日，投资20亿元的绿能芯创碳化硅芯片项目在山东淄博高新区开工。
项目建设的6英寸碳化硅芯片生产线，，主要从事大功率分立器件、芯片系列产品的设计、制造，以及功率模块应用、制造流程的研发
3、博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目
2020年3月3日，投资25亿元的嘉兴博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目开工启动。
项目一期建设6英寸兼容4英寸氮化镓生产线，设计月产能为1000片氮化镓射频晶圆；二期建设6英寸兼容4英寸氮化镓生产线和外延片生产线，设计月产能为3000片氮化镓射频晶圆、月产能20000片氮化镓功率晶圆。
签约项目
1、高启电子氮化镓外延片项目
1月18日，第三代半导体外延片生产线项目签约。项目由许昌高启电子科技有限责任公司投资，以研发、生产全球半导体领域最前沿的氮化镓外延片、芯片为主。
许昌高启电子科技有限责任公司成立于2019年12月30日，注册资本3亿元，董事长徐志成。
2、泰科天润运营总部及碳化硅器件生产基地项目
2月，泰科天润半导体科技（北京）有限公司和中关村科技园区顺义园管理委员会签订项目入区协议。公司将整体迁入顺义区，在临空国际板块占地20亩，总投资4亿元，建设运营总部及应用于新能源汽车、国家电网等领域的碳化硅器件生产基地，项目建设期2年。
3、徐州碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发项目
2020年2月17日，投资3亿元的碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发项目签约江苏徐州高新区。项目主要从事碳化硅（SiC）功率半导体模块的封测，研发生产耐高温、耐腐蚀的先进封装材料，一期项目建成投产后，年产碳化硅模块约20万只；二期项目建成投产后，可年产碳化硅模块约50万只。
4、海宁碳化硅材料研发及制造项目
2020年2月21日，投资2亿美元碳化硅材料研发及制造项目签约浙江海宁。项目主要从事炭化硅材料研发及制造。
5、吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目
2020年2月21日，投资37亿元的吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目签约江苏无锡。项目主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。
吴越半导体成立于2019年3月13日，注册资金588万元。
6、合肥世纪金光产业化项目
3月，合肥产投资本管理的语音基金与北京世纪金光半导体有限公司签署投资协议并完成首期出资，在合肥高新区投资建设6英寸碳化硅单晶生长及加工项目。这是合肥首个第三代半导体产业项目。
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年，总部位于北京经济技术开发区，是国家大基金在第三代半导体领域投资的重点企业之一，2018年6月，大基金投资2957万元，持股10.55%。
7、同光晶体碳化硅单晶衬底项目
3月22日，河北同光晶体有限公司年产10万片碳化硅单晶衬底项目签约涞源。项目主要生产直径4-6英寸碳化硅单晶衬底。
河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底。
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