台积电2nm制程研发取得重大突破，将切入GAA技术

出品 | 搜狐科技

编辑 | 张雅婷

7月13日消息，据台湾经济日报报道，台积电2nm技术研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术（gate-all-around，GAA）技术。

消息称，三星决定在3nm率先导入GAA 技术，并宣称到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。不过台积电积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，目前已成功找到切入GAA 路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界预测，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年之间。

台积电今年4月曾表示，3nm仍会沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

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