三星开始批量生产512GB eUFS 3.1存储芯片

三星是存储器和存储技术的全球领导者，通常是第一个发布基于较新技术的芯片的品牌。它是制造基于UFS 2.0，UFS 2.1和基于UFS 3.0的存储芯片的首批品牌之一。现在，该公司宣布已开始批量生产基于新的eUFS 3.1标准的512GB存储芯片。

这些512GB eUFS 3.1芯片已经在Galaxy S20智能手机阵容中使用，我们可以期望它们会出现在其他品牌的高端智能手机中。这些eUFS 3.1存储芯片可分别达到2100MB / s和1200MB / s的顺序读取和写入速度。现在，顺序写入速度是eUFS 3.0芯片的三倍。

​随机读写IOPS也有所改善，分别为100,000 IOPS和70,000 IOPS。三星表示，这些芯片可用于保存现代旗舰智能手机上录制的8K视频，而无需任何缓冲。可以在1.5分钟内将大约100GB的数据从旧手机传输到配备eUFS 3.1存储的手机。

三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示：“ 随着我们推出最快的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡所面临的瓶颈。新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商今年迅速增长的需求的持续承诺。”

三星还将提供128GB和256GB容量的eUFS 3.1存储芯片。这家韩国芯片巨头在其位于中国西安的X2生产线开始大规模生产第五代V-NAND存储芯片。该公司还计划将其在韩国平泽市的P1生产线从批量生产的第五代芯片转移到第六代芯片，以适应需求。